卓胜微 MAX-SAW 滤波器的生产工艺较为复杂，涉及多项高精度技术和特殊工艺步骤，其复杂性主要体现在衬底制备、器件结构设计、薄膜沉积、光刻工艺及封装技术等多个环节。以下是具体分析：

一、衬底制备：POI 衬底的特殊要求

MAX-SAW 滤波器采用压电氧化物集成衬底（POI 衬底），其制备工艺比传统硅基衬底更复杂：

• 多层薄膜结构：POI 衬底需在硅基底上依次沉积氧化埋层、压电层（如氮化铝 AlN）和功能层，每层薄膜的厚度、应力和结晶质量需精确控制，以确保声波传播效率和频率稳定性。
• 材料兼容性：不同材料（硅、氧化物、压电材料）的热膨胀系数和晶格匹配度需严格匹配，否则可能导致薄膜开裂或性能劣化。
• 制备成本高：POI 衬底通常需要通过键合、研磨、抛光等工艺制备，流程长且良率控制难度大，属于高附加值环节。

二、器件结构设计：高频高性能的挑战

为实现 sub-3GHz 频段的高性能（如低插入损耗、高带外抑制），器件结构需满足：

• 精细电极图案：叉指换能器（IDT）和反射栅的线宽、间距需达到微米级甚至纳米级，以匹配高频声波的波长（波长 = 声速 / 频率，高频下波长更短）。
• 多层膜系优化：可能需要沉积缓冲层、布拉格反射层等多层结构，以调控声波传播路径，抑制能量泄漏（如体声波模式），提升品质因数（Q 值）。
• 温度补偿设计：通过引入氧化埋层或复合结构，优化频率温度系数（TCF），确保器件在 - 40℃~+85℃等宽温范围内稳定工作，这需要精确的热应力仿真和工艺验证。

三、关键工艺步骤：高精度与高可靠性的平衡

1. 薄膜沉积

• 压电层（如 AlN）需通过溅射、原子层沉积（ALD）等方法制备，要求高结晶度、低缺陷密度，以降低声波传输损耗。
• 金属电极（如钼 Mo、铝 Al）的沉积需控制电阻率和台阶覆盖能力，避免电极断裂或接触不良。

1. 光刻与刻蚀

• 使用深紫外（DUV）或极紫外（EUV）光刻技术，实现亚微米级图形转移，对光刻机精度要求高。
• 干法刻蚀（如反应离子刻蚀 RIE）需精确控制刻蚀速率和各向异性，避免过度刻蚀导致器件失效，尤其在多层膜结构中易出现刻蚀偏差。

1. 封装工艺

• 为满足小型化和高频性能，常采用芯片级封装（CSP）或晶圆级封装（WLP），涉及底部填充、凸点制备、回流焊等工艺，需控制封装应力对器件性能的影响（如焊点开裂导致信号失效）。
• 若采用系统级封装（SiP），还需与其他射频元件（如开关、LNA）集成，涉及三维堆叠和互连技术，进一步增加工艺复杂度。

四、与传统 SAW 滤波器的对比

维度传统 SAW 滤波器（硅基 / 蓝宝石衬底）MAX-SAW 滤波器（POI 衬底）衬底工艺单一衬底，工艺相对简单多层复合衬底，需精确控制薄膜应力和厚度工作频率通常低于 2GHz可达 sub-3GHz，接近 BAW/FBAR 水平插入损耗较高（尤其在高频段）较低，接近 BAW 器件性能工艺复杂度中低高（需解决高频下的声波约束和温度稳定性问题）

五、工艺复杂性的影响

MAX-SAW 滤波器的复杂工艺带来以下挑战与优势：

• 挑战：需投入高研发成本（如 POI 衬底制备设备、先进光刻技术），良率控制难度大，量产周期较长。
• 优势：突破传统 SAW 滤波器的高频性能瓶颈，在 sub-3GHz 频段兼具低损耗、高抑制和温度稳定性，可替代部分 BAW/FBAR 器件，满足 5G 手机、物联网等高端场景需求。

卓胜微作为国内射频芯片龙头，通过自主研发突破了 POI 衬底制备、高频器件设计等关键技术，其 MAX-SAW 滤波器的工艺复杂性体现了国产射频芯片在高端市场的竞争力。