华邦电子主要通过以下几种方式应对半导体存储市场的电压控制挑战：

• 技术创新与专利研发：华邦电子积极投入研发，通过申请多项专利来优化电压控制技术。例如，2024 年申请的 “半导体存储装置及其控制方法” 专利，通过对感应放大器中晶体管特性的实时监测和电压调整，使位线电压在偏移消除操作中更接近理想水平，减少了因电压波动带来的数据错误，提高了存储的响应速度和读写效率，进而提升数据存储的可靠性和能耗效率.
• 精确的擦除电压控制：华邦电子在非易失性存储器的擦除过程中，采用动态调整擦除验证电压的方式。先向存储器的特定区域施加擦除条件以启动擦除操作，接着在存储器区块的一部分实施第一擦除验证程序，并与第一擦除验证电压比较来确保擦除效果，之后可根据情况动态调整擦除验证电压，再执行第二擦除验证程序，在后编程阶段也会再次验证电压是否达标。这种方式能够实现更高效、更精确的擦除控制，提升了数据擦除的可靠性和安全性.
• 优化存储芯片内部架构：华邦电子对存储芯片内部的电路布局、信号传输线路等进行优化，减少信号传输的延迟和干扰，从而间接改善电压控制。例如缩短存储单元与控制电路之间的距离，使信号能够更快地传输，降低了因线路传输导致的电压降等问题，确保存储单元能够接收到更稳定、准确的电压信号，提高了数据的读写速度.
• 提升制程工艺：不断推进存储芯片制程工艺的演进，如 DRAM 产品制程已演进到 20 纳米，闪存产品从 58 纳米提升至 2024 年下半年的 45 纳米。更先进的制程工艺有助于降低芯片的工作电压，同时提高电压控制的精度和稳定性，从而在相同的物理空间内存储更多的数据，并加快整体的读写速度.
• 采用多层存储架构：华邦电子的 “半导体存储装置” 专利采用多层存储架构，不同层之间可并行进行数据的读取和写入操作。在这种架构中，华邦电子需要对各层存储单元的电压进行精细管理和控制，以确保数据读写的准确性和高效性，类似立体交通网络中不同层道路的车辆通行管理，通过合理的电压分配和控制，实现数据的快速流通和处理，提高整体的读写速度.