华邦电子有以下两项静电放电保护半导体装置相关专利：

专利号 CN01110190.3：

• 专利名称：静电放电保护半导体装置
• 技术要点：该装置设置于接合垫及既定电位端之间，包括第一型基底，并在第一型基底形成第一第二型阱区以及第一第一型掺杂区和第一第二型掺杂区，第一第一型掺杂区及第一第二型掺杂区分别耦接于既定电位端。在第一第二型阱区中，形成第二第一型掺杂区及第二第二型掺杂区，并分别耦接于接合垫。另外，于第一型基底形成第三第二型掺杂区及第四第二型掺杂区，其中第三第二型掺杂区耦接于接合垫，并在第三第二型掺杂区及第四第二型掺杂区之间形成第二第二型阱区 。

专利号 CN01110483.X：

• 专利名称：可记录静电放电事件的静电放电保护组件
• 技术要点：以一个 NMOS 晶体管作为静电放电保护组件，当静电事件发生时开启导通路径，排除大量静电放电电流，保护内部电路。在其侧设置一个崩溃电压较该 NMOS 晶体管击发电压要高的可抹除可编程只读存储单元，静电放电的瞬间高电压会对可抹除可编程只读存储单元进行程序化而改变其临界电压，通过测量其偏移量便可得知静电事件的发生与否，从而记录在集成电路的测量、安装及使用过程中所发生的任何静电放电事件 。