华邦电子的 NAND Flash 技术发展历程主要如下：

• 2012 年：自主开发 58 奈米 Flash 制程技术量产，为后续 NAND Flash 技术发展奠定制程基础。
• 2013 年：12 月，自主开发 46 奈米 NAND Flash 制程技术验证成功，标志着其在 NAND Flash 技术上取得重要突破，进入更先进制程阶段。
• 2014 年：推出 1Gb 以上之闪存，提供了更大容量的编码式闪存解决方案，满足市场对更高存储容量的需求。
• 2016 年：38nm DRAM 通过验证，虽然主要是 DRAM 相关，但也反映了其在先进制程技术上的持续推进能力，对 NAND Flash 技术发展有一定的技术溢出效应。
• 2024 年：其闪存产品制程演进到 24 纳米，NAND Flash 在制程缩小、性能提升和成本控制上更进一步，产品在擦写速度、容量等方面有更好表现，例如 Octal NAND 拥有超快的擦写速度，能高效执行 OTA 升级，且成本相较于传统的 NOR Flash 更为低廉。