技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
20 V
Id-连续漏极电流:
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻:
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
12 V
Qg-栅极电荷:
8 nC
Pd-功率耗散:
1.3 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.1 mm
长度:
2.9 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
1.3 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRLML6402TRPBF SP001552740
单位重量:
41 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
20 V
Id-连续漏极电流:
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻:
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
12 V
Qg-栅极电荷:
8 nC
Pd-功率耗散:
1.3 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.1 mm
长度:
2.9 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
1.3 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRLML6402TRPBF SP001552740
单位重量:
41 mg