卓胜微的晶圆级封装技术（WLP，Wafer Level Package）是一种在晶圆未切割前直接对整片晶圆进行封装加工的先进技术，其核心原理是通过在晶圆层面完成芯片的封装、互联、保护等工艺，最终实现芯片小型化、高集成度和高性能的目标。具体工作原理可拆解为以下几个关键环节：

一、晶圆级封装的核心逻辑：从 “单芯片封装” 到 “整片晶圆加工”

传统芯片封装通常是先将晶圆切割为单个裸芯片（Die），再对单个芯片进行引线键合、塑封等工艺；而晶圆级封装则跳过 “切割” 环节，直接以整片晶圆为单位进行封装流程，完成后再切割成单个封装好的芯片。这种模式大幅减少了单个芯片的加工步骤，同时通过晶圆级的批量处理提升效率、降低成本，并实现更小的封装尺寸（接近芯片本身大小，即 “芯片级封装”）。

二、关键工艺步骤及原理

卓胜微的滤波器晶圆级封装技术针对射频前端滤波器的特性（如高频信号传输、抗干扰需求、小型化要求等），在通用晶圆级封装基础上进行了定制化优化，核心步骤包括：

1. 晶圆预处理与表面制备

• 原理：对完成制造的滤波器晶圆（如 SAW 滤波器的压电晶圆、BAW 滤波器的半导体晶圆）进行表面清洁、平整度处理，去除杂质和缺陷，为后续封装工艺提供稳定的基底。
• 射频适配优化：针对滤波器的高频信号传输需求，需确保晶圆表面无多余介质干扰，避免信号损耗或反射。

2. ** Redistribution Layer（RDL，重布线层）制备 **

• 原理：通过光刻、电镀等工艺在晶圆表面制作金属布线层（通常为铜或铝），将芯片内部的 Pad（焊盘）从原始位置 “重布线” 到封装外部的 I/O 焊盘，实现芯片与外部电路的互联。
• 优势：RDL 可灵活设计布线走向，突破传统引线键合的空间限制，支持更多 I/O 接口，同时缩短信号传输路径，降低高频信号的延迟和损耗，适配滤波器对信号完整性的要求。

3. 封装保护层形成

• 原理：在晶圆表面（包括芯片和 RDL 层）涂覆绝缘保护材料（如环氧树脂、氮化硅等），通过光刻定义开窗区域（露出外部焊盘），形成对芯片核心结构的物理保护和环境隔离（防潮、防氧化、防机械损伤）。
• 滤波器适配：保护层需具备低介电常数、高绝缘性，避免对滤波器的高频信号产生干扰，同时满足汽车电子等场景的高可靠性要求（如耐温、耐振动）。

4. 凸点（Bump）制作

• 原理：在 RDL 层的外部焊盘位置制作金属凸点（如锡球、铜柱凸点），作为封装后芯片与 PCB 板或其他模组的连接点。凸点的尺寸和间距可根据需求设计，支持高密度互联。
• 作用：替代传统引线键合的金线 / 铜线，实现更紧密的连接，进一步缩小封装体积，同时提升热传导效率，帮助滤波器散热（尤其高频工作时）。

5. 晶圆切割与测试

• 原理：完成上述工艺后，通过精密切割设备（如激光切割、金刚石刀片切割）将整片晶圆分割为单个封装好的芯片（WLP 芯片），随后进行最终的电学性能测试（如滤波器的频率响应、插入损耗、隔离度等），筛选合格产品。

三、针对滤波器的技术优化方向

卓胜微的晶圆级封装技术结合滤波器（尤其是 SAW、MAX-SAW 等）的特性，在以下方面进行了针对性设计：

• 低损耗互联：通过优化 RDL 金属材料（如高导电率铜）和布线结构，减少高频信号在传输中的损耗，确保滤波器的插入损耗指标达标。
• 小型化与集成化：通过晶圆级批量加工，封装尺寸接近芯片本身（尺寸缩减 30% 以上），支持滤波器与射频开关、低噪声放大器（LNA）等集成为模组（如 L-PAMiD），满足智能手机、智能穿戴等设备的轻薄化需求。
• 异构集成兼容：支持基于 12 英寸晶圆载体的异构集成，可将不同工艺的芯片（如滤波器、功率放大器）通过晶圆级封装堆叠或并排集成，实现更高的系统级功能，如卓胜微的 L-PAMiD 模组即集成了自产 MAX-SAW 滤波器。

四、核心优势总结

卓胜微的晶圆级封装技术通过 “晶圆级批量加工 + RDL 重布线 + 高密度凸点互联” 的核心原理，实现了滤波器产品的小型化、高集成度、高性能（低损耗、高信号完整性）和低成本，同时适配多场景可靠性需求，为其射频前端模组的国产替代和市场拓展提供了关键支撑。