华邦电子在 2024 年有多项专利成果，以下是部分信息：

“半导体存储器及其控制方法” 专利：

• 公开号：cn118942507a，申请日期为 2024 年 4 月。即使当多个子阵列中任一子阵列的不良位线的数目超出该子阵列中设置的备用位线时，此专利技术也可以挽救不良位线。该半导体存储器包括具有多个子阵列的存储单元阵列、以及特定的控制电路，当活化多个子阵列的某一子阵列内任一字线时，可将字线和在行方向与该子阵列分隔设置的另一子阵列内对应的字线活化。

“半导体存储装置及其控制方法” 专利：

• 申请日期为 2024 年 10 月 18 日。该专利的创新之处在于通过新的控制方法，优化半导体存储装置中的电压，使其能够更精确地接近特定目标电压，以提高存储效率和性能。半导体存储装置包括至少一对感应放大器和相应的控制部件，可根据感应放大器中晶体管的特性实时调整电压，减少数据错误，提高数据存储的可靠性、存储的响应速度和能耗效率。

“电流传感器电路” 专利：

• 公开号：cn118918931a，申请日期为 2023 年 7 月（2024 年的消息报道）。此专利提供一种电流传感器电路，包括差分感测放大器以及预充电电路。差分感测放大器具有第一输入端、第二输入端及输出端，第一输入端通过第一数据线耦接至所选晶胞，第二输入端通过第二数据线耦接至参考晶胞，输出端输出所选晶胞的感测数据。预充电电路用以提供预充电电流对第一数据线进行预充电操作，预充电电流根据参考电流来决定。

“良率评估方法及良率评估装置” 专利：

• 公开号：cn118941099a，申请日期为 2023 年 6 月（2024 年的消息报道）。此方法包括收集半导体产品制造过程中的晶片制造数据、前段晶片测试数据及后段产品良率信息并选择与良率相关的多个参数；计算使用各参数制造的多个样品中的坏品相对于全局定概率坏品的相对信息熵，用以建立产品信息熵计算器；收集当前产品的晶片制造数据及前段晶片测试数据并代入产品信息熵计算器，以评估当前产品的良率。

“半导体结构及其制造方法” 专利：

• 公开号：cn118843308a，申请日期为 2023 年 5 月（2024 年的消息报道）。该制造方法包含对基板执行第一刻蚀制造工艺以形成第一沟槽，以及顺应性地形成顺应层于第一沟槽的表面，还包含沿着第一沟槽对基板执行第二刻蚀制造工艺，以形成第二沟槽于第一沟槽下方。此方法能够维持主动区所需的线宽大小，改善存储器装置的良率以及性能。

在 2024 年 11 月 1 日，华邦电子取得了 “半导体存储装置以及编程方法” 的专利（授权公告号 cn114121093b，申请日期为 2021 年 7 月）。这些专利成果展示了华邦电子在半导体存储技术领域的不断探索和创新。