长江存储闪存芯片的生产工艺具有以下一些优势：

Xtacking架构：该架构将外围电路置于存储单元之上，不占用实际芯片面积，有利于提高存储密度。相比传统三维闪存架构，其外围电路与存储单元不再共享芯片面积，生产时二者可分别在两片晶圆上并行加工，缩短了生产周期。并且，外围电路可以单独加工，与存储单元能互相独立设计、生产，消除了二者之间的设计、工艺牵制，从而实现更高性能。此外，其外围电路面积与存储单元面积几乎相等，相对来说外围电路晶体管密度可以比较低，一般使用50nm工艺节点即可满足需求，最高也无需超过28nm，无需先进制程的光刻机。

更高的存储密度：采用Xtacking技术后，三维闪存的存储密度有望实现大幅提升，可在相同的芯片尺寸内容纳更多的存储单元。

更高的读写性能：Xtacking架构能大幅提升闪存芯片的I/O性能，例如将读写速度从传统的1.4Gbps提升到3.0Gbps，甚至有望达到与DRAM DDR4相当的I/O速度，这对闪存行业来讲是颠覆性的进步。

缩短产品研发周期：充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短3个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短产品上市时间。

串堆叠技术：在超深宽比刻蚀方面存在被日美卡脖子的问题，而长江存储的闪存芯片采用了串堆叠技术。例如其128层闪存就是将两个64层串堆叠的，这使得无需开发92层就可以直接跳升至128层量产。并且，串堆叠技术理论上可以进行无限层次的串联，这为实现更高层数的闪存芯片堆叠提供了可能。只要我国能解决60:1的超深宽比刻蚀设备，长江存储在128、192甚至256等高级别的闪存芯片堆叠方面将没有问题。

随着长江存储和国内先进设备厂的共同努力，“极深宽比刻蚀”和“极高深宽比字线和接触孔钨填充”等卡脖子问题已基本得到解决，这也为长江存储闪存芯片的生产工艺提供了更好的支持，使其能够在技术上不断取得突破，并提升产品的性能和竞争力。