富满微的 5G 射频芯片在抗辐射干扰技术方面达到了国内领先水平，能够较好地满足不同行业对电子设备抗辐射干扰性能的要求。具体体现在以下方面：

• 自主研发实力强劲：富满微拥有多年半导体技术积累和研发经验，具备自主研发抗辐射干扰技术的能力。其研发团队可针对不同应用场景和需求，开发针对性的抗辐射干扰解决方案，使芯片能适应多种复杂电磁环境。
• 先进工艺与设计加持：公司积极跟踪行业动态，引入新设计理念和工艺技术。通过采用先进的半导体工艺和电路设计技术，有效提高了芯片的抗辐射干扰能力，同时不断优化产品性能，让芯片在抗干扰的同时，保持高可靠性等优良特性。
• 专利技术提供支持：2025 年 6 月，富满微电子取得 “一种功率管驱动电路及芯片” 的专利。该专利可使功率管开启过程中，保证谷底锁定位置不发生偏移，开启周期基本不变，电磁干扰明显降低，这也从侧面反映出其在抗干扰技术方面的成果，相关技术可能应用于 5G 射频芯片等产品中。
• 产品整体性能领先：富满微董秘曾表示，公司在 5G 射频芯片等大类的产品研发中，抗干扰等多项技术具有领先性，形成了技术壁垒，这意味着其 5G 射频芯片的抗辐射干扰技术是其领先优势之一，有助于提升芯片在市场中的竞争力。