长江存储科技有限责任公司成立于2016年，是一家专注主流领先技术的存储器IDM企业，集芯片设计、制造、封测和系统解决方案、自有消费品牌等业务于一体。该公司致力于研发创新的闪存芯片技术，以下是一些长江存储闪存芯片的技术创新：

Xtacking技术：传统三维闪存架构中，外围电路与存储单元共享芯片面积，生产时二者容易互相掣肘，对工艺要求极高。长江存储全球首创的Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，让芯片加工从平面走向立体，即在一片晶圆上加工外围电路，在另一片晶圆上加工存储单元，两片晶圆各自完工后再进行接合。由于芯片空间得以释放，三维闪存的存储密度有望实现大幅提升。

晶栈Xtacking技术：作为长江存储研发多年的底层存储技术，晶栈Xtacking技术本质上是对业内3D NAND架构的创新，不同于其他3D NAND闪存架构的内部一体成型设计，长江存储通过在两片独立的晶圆上分开加工负责I/O传输及记忆单元的电路，并通过成熟的Xtacking工艺进行晶圆键合，合二为一。不但降低了工序的复杂度，也提高了产品的性能和可靠性。

晶栈Xtacking 2.0技术：作为升级换代技术，晶栈Xtacking 2.0能够进一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开拓定制化NAND全新商业模式等。未来，晶栈Xtacking 2.0技术将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中，会广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域，这将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

晶栈Xtacking 3.0技术：晶栈Xtacking 3.0技术是长江存储在闪存芯片技术上的又一重大突破，它采用了创新的6平面设计，每个平面都支持同步多平面独立运行，多重并发和同步并发增强了系统I/O性能，包括顺序和随机访问。与典型的4平面架构相比，新架构的性能可提升50%，而功耗可降低25%，这种系统级的升级可以提高电源效率，使总拥有成本（TCO）更具吸引力。

总的来说，长江存储的闪存芯片技术创新，提高了芯片的存储密度、性能和可靠性，为闪存芯片的发展做出了贡献。