华为海思在芯片封装领域有哪些专利?
深圳市星际芯城科技有限公司
发表:2024-06-28 18:43:52 阅读:28

截至2024年5月7日,华为技术有限公司申请了一项名为“芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制备方法”的专利,公开号为CN117995784A,申请日期为2022年10月。该专利的芯片封装结构包括电路结构、集成在电路结构上的至少两个芯片(如第一芯片和第二芯片)。第一芯片和第二芯片设置在电路结构的同一表面上,它们相对的两个侧面中的至少一个侧面被增黏层覆盖,且侧面被增黏层覆盖的第一芯片和第二芯片之间具有间隙,该间隙被填充层填充。通过在填充层与芯片侧面之间设置增黏层,可降低填充层与芯片脱层的风险,进而有效降低裂缝延伸至电路结构上的几率,保护电路结构。



另外,在2023年10月31日申请公布的一项专利(申请公布号为CN116982152A,申请日期为2021年4月9日)中,华为也涉及了半导体封装相关技术。该技术的密封剂下主面由多部分组成,其独特的散热表面设计可有效提高散热效率,从而提高半导体器件的性能和可靠性。同时,通过优化密封剂下侧表面的结构,实现了散热表面与引线之间的最小预定义距离,减少了热阻,提高了散热效果。



华为在芯片封装领域的专利还有:


  • “三维堆叠封装及三维堆叠封装制造方法”:2024年1月2日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请的“三维堆叠封装及三维堆叠封装制造方法“专利,公开号CN117337489A,申请日期为2021年6月。该专利的三维堆叠封装包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片,第一半导体芯片与第二半导体芯片设置于同一水平面,第三半导体芯片堆叠在第一与第二半导体芯片一侧,第一半导体芯片的工艺制程等级低于第二半导体芯片的工艺制程等级,第一半导体芯片包括第一硅通孔,第一硅通孔形成第一半导体芯片和第三半导体芯片之间的电连接,可节约制造成本,保证芯片性能的稳定性,实现半导体芯片高集成度、高信号传输速率和大带宽。



  • “芯片封装结构、电子设备、芯片散热盖”:2023年11月7日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司的该项专利公开号为CN117080185A,专利申请日期为2023年11月。该芯片封装结构中的散热盖包括腔体,腔体内收容有冷却液,腔体的内壁上具有毛细结构,且腔体的与芯片相对且靠近芯片的第一内壁开设有至少一个凹槽,凹槽内填充有毛细结构,可抑制芯片出现热点,提升芯片散热效果。


  • “一种芯片封装以及芯片封装的制备方法”:2023年8月4日,据企查查公开信息显示,该专利申请日期为2020年12月16日,申请公开号为CN116547791A。芯片封装包括基板、裸芯片、第一保护结构和阻隔结构;裸芯片、第一保护结构和阻隔结构均设置在基板的第一表面上;第一保护结构包裹裸芯片的侧面,阻隔结构包裹第一保护结构背离裸芯片的表面,且裸芯片的第一表面、第一保护结构的第一表面和阻隔结构的第一表面齐平,旨在简化芯片堆叠结构的制备工艺,提高生产效率。


  • “封装芯片及封装芯片的制作方法”以及“芯片封装组件,电子设备及芯片封装组件的制作方法”:2021年9月28日和11月26日公开的这两项专利,与芯片制造领域中的封装技术相关联,涉及通过设置芯片与封装基板的上导电层以及下导电层连接,使芯片产生的热量可进行双向传导散热,并在上导电层上设置散热部,让芯片封装组件能够达到更优的散热效果。


华为在芯片封装领域持续进行技术创新和专利申请,这些专利反映了其在该领域的研发成果和技术实力。

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