【电子资讯】氧化锌衬底是什么?

氧化锌晶片被认为是最具潜力的氮化镓基外延层生长衬底,氧化锌( zn0)与氮化镓(gan)晶体结构相同,禁带宽度接近,其能带不连续值小,接触势垒小,因此,zn0被当做gan外延片的候选衬底。

zn0作为衬底的致命弱点是在gan外延生长的温度和气氛中易分解和腐蚀。目前,zn0半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要原因是材料品质达不到器件水准和p型掺杂问题没有真正解决,适合zn0基半导体材料生长的设备尚未研制成功。今后其研发的重点是寻找合适的生长方法。

zn0材料的生长非常安全,可以采用没有任何毒性的水为氧源,采用有机金属锌为锌源。但是,氧化锌晶片的导热率低,直径小,生长成本高。

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