晶体管电压参数及含义,已下内容为您详细介绍。
1)BUcB0:集电极一基极反向击穿电压,是指当晶体管发射极开路时,加在其集电极与基极之间的最大允许反向电压。
2)BUcE0:集电极一发射极反向击穿电压,是指当晶体管基极开路时,加在其集电极与发射极之间的最大允许反向电压。
3)BUEB0:发射极一基极反向击穿电压,是指当晶体管集电极开路时,加在其发射极与基极之间的最大允许反向电压。
4)U CBn)cB0:集电极一基极击穿电压。
5)U(BR)cE0:集电极一发射极击穿电压。
6)U(Bn)EB0:发射极一基极击穿电压。
7)UcBo(或ucB):基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之问在指定条件下的最高耐压。
8)Ucc:数字晶体管的极限工作电压或测试电压。
9)Ucwo(SUS):在,B=0时的集电极一发射极电压。
10)UcEo(或UcE):发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之问在指定条件下的最高耐压。
11)UcER:发射极接地,基极与发射极问串接电阻R,集电极与发射极问在指定条件下的最高耐压。
12)UcEs:发射极接地,基极对地短路,集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
13)UcEv:在一定的UBE下的集电极一发射极电压。
14)UcEw:无缓冲的最高集电极一发射极电压。
15)UCEX:发射极接地,基极与发射极之间加规定的偏压,集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压。
16)UrBo(UEB):基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压。
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