测量极间电阻来判别晶体管性能的好坏
发表:2023-08-29 12:09:50 阅读:97

测量极间电阻来判别晶体管性能的好坏

 

测量晶体管极间电阻时,万用表置于电阻挡。在不知晶体管极性的情况下,将万用表红表笔与任意一只引脚相碰,黑表笔接触其他两只引脚,如果测得的电阻值较小,交换表笔后测量的电阻值均很大,则说明被测晶体管中的一个PN结是好的;若测得电阻值很大,交换表笔重新测试后电阻值较小,则也说明该晶体管中的一个PN结是好的。需指出的是,如果两次测得电阻值均很大,则可能足破测PN结开路损坏或测量的是两个PN结,这是因为正常晶体管的集电结与发射结之间的正、反向电阻值都较大。对于此类情况,应及时将其中一支表笔与晶体管的第三引脚相碰,然后重复上述过程。在测试好第一个PN结后,将万川表红表笔接任总一只引脚,用黑表笔分别接触另外两个引脚,如果测得电阻值较小,交换表笔后测得电阻值很大,则说明被测晶体管的第二个PN结也足正常的。一般来说,两个PN结的正、反向电阻值相差越大,说明此晶体管的性能越好。

将万用表置于“R × 1k”挡,按照图5—49所示红黑表笔的六重不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低电阻还是高电阻,硅晶体管的极间电阻要比锗晶体管的极间电阻大得多。

 

测量极间电阻判别晶体管性能好坏

 

 

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