技术: 
Si 
 
安装风格: 
SMD/SMT 
 
封装 / 箱体: 
TO-252-3 
 
晶体管极性: 
N-Channel 
 
通道数量: 
1 Channel 
 
Id-连续漏极电流: 
90 A 
 
Vgs - 栅极-源极电压: 
16 V 
 
Qg-栅极电荷: 
75 nC 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 175 C 
 
Pd-功率耗散: 
79 W 
 
通道模式: 
Enhancement 
 
资格: 
AEC-Q101 
 
封装: 
Cut Tape 
 
封装: 
Reel 
 
配置: 
Single 


高度: 
2.3 mm 


长度: 
6.5 mm 


系列: 
IPD90N06 


晶体管类型: 
1 N-Channel 


宽度: 
6.22 mm 


商标: 
Infineon Technologies 


产品类型: 
MOSFET 


工厂包装数量: 
2500 


子类别: 
MOSFETs 


零件号别名: 
IPD90N06S4L-06 SP001028682 


单位重量: 
4 g