技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220FP-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
700 V
Id-连续漏极电流:
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻:
300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.5 V
Qg-栅极电荷:
16.4 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
26.5 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Tube
配置:
Single
高度:
16.15 mm
长度:
10.65 mm
系列:
CoolMOS P7
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.85 mm
商标:
Infineon Technologies
下降时间:
18 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8 ns
工厂包装数量:
500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
100 ns
典型接通延迟时间:
19 ns
零件号别名:
IPA70R360P7S SP001499698
单位重量:
1 g
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220FP-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
700 V
Id-连续漏极电流:
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻:
300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.5 V
Qg-栅极电荷:
16.4 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
26.5 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Tube
配置:
Single
高度:
16.15 mm
长度:
10.65 mm
系列:
CoolMOS P7
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.85 mm
商标:
Infineon Technologies
下降时间:
18 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8 ns
工厂包装数量:
500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
100 ns
典型接通延迟时间:
19 ns
零件号别名:
IPA70R360P7S SP001499698
单位重量:
1 g