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HYB25L256160AF-7.5 概述如下：


在该HYB25L256160AF-7.5的256Mbit移动-RAM是新一代低功耗，四银行同步DRAM组织为4银行×4兆位

×16与移动应用的附加功能。同步移动-RAM中实现通过使用一个芯片的架构，预取多个位，然后进行

同步高速数据传输速率的数据输出到系统时钟。该装置增加了新的功能，支持同步DRAM产品树立了行

业标准。存器的部件阵列可以被选择用于自刷新，并且在刷新周期自刷新是可编程的，以4个步骤

这样可大大减少自刷新电流，根据在所述部件的情况下，温度系统应用。另外一种“深度掉电模式”

可用。操作四个存储体中交错的方式允许在较高的速度随机存取操作。一个顺序和无缝数据速率可能

因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。移动-RAM被装在一个FBGA “芯片尺寸”套餐。移动-RAM

是在商业上可(0°C≤TC≤70°C）和扩展（ -25 ° C至+ 85 ° C）温度范围。

HYB25L256160AF-7.5  产品图如下：