UCC28C57LQDRQ1 汽车类30V低功耗电流模式PWM控制器，适用于SiC，18.8V/14.5V UVLO，50%占空比
产品型号：UCC28C57LQDRQ1
产品品牌：TI/德州仪器
产品封装：SOIC8
产品功能：PWM控制器
UCC28C57LQDRQ1特性
●支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
●30V VDD 绝对最大电压
●1MHz 最大固定频率工作
●50μA 启动电流，最大值 75μA
●低工作电流：1.3mA（f OSC = 52kHz）
●高工作 T J：150°C（最大值）
35ns 快速逐周期过流限制
峰值驱动电流为 ±1A
●轨到轨输出：
25ns 上升时间
20ns 下降时间
●精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
●与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产品
●提供功能安全
●可帮助进行功能安全系统设计的文档
●具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
●器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
●器件 HBM 分类等级 2：±2kV
●器件 CDM 分类等级 C4B：750 V
UCC28C57LQDRQ1说明
UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。
除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。
VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。
封装图
公众号/视频号
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