华邦电子的低电压闪存技术未来将朝着更低功耗、更小尺寸、更高性能、更安全可靠以及更广泛应用等方向发展，以适应物联网、人工智能等新兴技术的需求。具体如下：

• 更低功耗设计：华邦电子 1.2V 串行 NOR 闪存已在低功耗方面表现出色，未来会继续优化，进一步降低活动和待机功耗，满足智能电表、可穿戴设备和医疗监控设备等对电池续航的更高要求，减少对稳压器的需求，延长电池寿命。
• 更小芯片尺寸：华邦电子 NOR Flash 45 纳米制程已实现芯片尺寸缩小，未来会持续通过制程技术升级，如 NAND 闪存从 46 纳米迈向 1x 纳米等，使芯片尺寸更小，更好地满足可穿戴设备等对小尺寸存储芯片的需求，便于系统集成。
• 更高性能提升：会不断提升闪存的数据传输速率等性能，其 Qspi NAND Flash 系列已支持高容量、高传输速率，未来将继续优化，以满足汽车、通信和工业系统等对高性能存储的需求，为这些领域提供更高效的数据存储和传输解决方案。
• 更优制程工艺：华邦电子 NAND 闪存 24 纳米已量产，DRAM 最新制程 20 纳米将逐步取代 25S 纳米，未来会进一步推进制程工艺发展，如开发 DRAM 的 16 纳米工艺等，通过制程优化提升闪存技术的整体性能和竞争力。
• 更强安全性能：华邦电子的安全闪存技术能够自我检测数据完整性，未来会继续强化安全功能，为汽车电子、工业控制等对数据安全要求较高的领域，提供更可靠的安全存储解决方案。
• 更广应用领域：随着技术发展，低电压闪存技术将从传统的移动、可穿戴与物联网设备，进一步拓展到边缘 AI、工业自动化、智慧城市等新兴领域，为更多智能设备提供存储支持。