卓胜微滤波器涵盖多种技术路线（如 MAX-SAW、传统 SAW、BAW 等），不同类型滤波器的生产工艺存在差异，其中 MAX-SAW 滤波器作为其核心产品，工艺路线融合了材料创新与结构优化，以下从MAX-SAW 滤波器的典型生产流程展开说明，并对比其他类型滤波器的工艺特点：

一、MAX-SAW 滤波器核心生产工艺流程

1. 衬底制备与预处理

• POI 衬底加工：
• 采用多孔氧化硅（POI）衬底（区别于传统 SAW 的蓝宝石或硅衬底），通过刻蚀工艺形成多孔结构，降低热膨胀系数以匹配压电材料（如 AlN）。
• 表面抛光处理，确保粗糙度≤1nm，避免影响后续薄膜沉积质量。

• 氧化埋层沉积：在 POI 衬底上通过 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）生长一层二氧化硅（SiO₂）埋层，厚度约 0.5~1μm，用于热应力补偿。

2. 压电层与电极层制备

• 压电层沉积：采用溅射或 MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术在氧化埋层上制备 AlN（氮化铝）压电薄膜，厚度约 1~2μm，需控制结晶取向（c 轴垂直于衬底）以优化声表面波传播效率。
• 电极层制备：溅射 Ti/Cu 或 Al 等金属层（厚度约 200~500nm），通过光刻 + 刻蚀工艺形成叉指换能器（IDT）和反射栅结构，线宽精度需控制在 1μm 以内（高频段产品可达 0.5μm）。

3. 结构刻蚀与器件成型

• 背腔刻蚀（可选）：对于高频 MAX-SAW 器件，通过 DRIE（深反应离子刻蚀）在衬底背面刻蚀出空气腔，降低声能量损耗，提升 Q 值（品质因数）。
• 钝化层沉积：采用 PECVD 生长 SiN 或 SiO₂钝化层，保护电极结构，同时调节声表面波传播特性。

4. 划片与封装测试

• 晶圆划片：使用激光或刀片切割技术将晶圆划分为单个芯片，边缘精度控制在 ±5μm。
• 封装工艺：采用 LGA（焊盘栅格阵列）或倒装焊（Flip Chip）封装，减少寄生效应，适配高频 5G 频段；部分模组产品需与其他射频器件（如开关、LNA）集成封装。
• 性能测试：通过网络分析仪测试插损、带外抑制、驻波比等指标，并在 - 40℃~+85℃温箱中验证温度稳定性，筛选合格产品。

二、卓胜微工艺特色与优势

1. 自建产线与量产能力

• 卓胜微在无锡自建 MAX-SAW 滤波器产线，采用国产化设备（如北方华创溅射设备），实现从衬底加工到封装测试的全流程自主可控，产能可达百万颗 / 月，降低对外购代工的依赖（如传统 SAW 厂商依赖 TDK、村田代工）。

2. 工艺集成优化

• 通过 POI 衬底与氧化埋层的协同设计，简化了传统 BAW 滤波器所需的多层布拉格反射层工艺，成本降低约 30%，同时保持接近 BAW 的高频性能（适用于 5G sub-6GHz 频段，如 2.6GHz、3.5GHz）。

3. 可靠性工艺认证

• 生产流程通过 AEC-Q100（汽车级）认证，关键环节（如封装焊线）采用全自动设备，焊点拉力测试合格率≥99.9%，满足车载、工业等场景的高可靠性需求。

三、工艺挑战与改进方向

1. 高频段工艺难点

• 当应用于 5G 毫米波频段（如 26GHz、28GHz）时，IDT 线宽需缩小至 0.1μm 以下，需引入 EUV 光刻或电子束光刻技术，目前卓胜微正与中微公司、北方华创合作开发高频段工艺。

2. 模组集成工艺

• 为实现射频前端模组（如 FEMiD、PAMiD）的小型化，需将 MAX-SAW 滤波器与功率放大器（PA）、开关等器件通过 SiP（系统级封装）工艺集成，涉及 TSV（硅通孔）、倒装焊等先进封装技术，卓胜微已在部分 5G 模组产品中实现量产。