卓胜微在射频开关设计结构方面有以下创新：

• 优化半导体器件结构：公司 2024 年 11 月申请的 “半导体器件及射频开关器件” 专利（公开号为 CN119497416A），通过在有源区引入优化区，并将优化区的掺杂浓度设定高于 5E14/cm³，显著减少了 MOS 管的寄生电容 Coff，有效降低了 MOS 管的 FOM（性能指标），从而提升了射频开关器件的性能和效率，为射频开关器件的小型化和高频运行提供了新解决方案。
• 紧凑化集成设计：公司 “一种射频开关芯片” 专利（授权公告号 CN108807343B），通过将部分滤波元件集成在开关管芯上，并巧妙利用键合线和基板上第一滤波元件之间的互感，使各滤波元件更容易集成，设计结构紧凑，减小了芯片体积，提高了移植性能，降低了成本。
• 创新电路结构设计：如在低噪声放大器及射频芯片相关设计中，通过设置放大模块和选择模块，将选择模块设置在放大模块的输出端之后，避免了选择模块对放大模块输入阻抗的干扰，解决了开关插损导致放大器噪声系数较大的问题，减小了开关插损和低噪声放大器的噪声系数。