卓胜微滤波器主要采用 SAW、IPD 等工艺。以下是其生产制造工艺的相关介绍：

SAW 滤波器工艺

1. 基片准备：选择合适的压电材料作为基片，如铌酸锂（LiNbO₃）、钽酸锂（LiTaO₃）等。这些材料具有良好的压电性能，可将电能和机械能相互转换。对基片进行清洗、抛光等处理，确保其表面平整度和洁净度，为后续工艺提供良好基础。
2. 光刻：使用光刻技术在基片表面制作叉指换能器（IDT）等图案。光刻过程中，将光刻胶均匀涂覆在基片上，通过掩膜版将设计好的电路图案曝光在光刻胶上，然后经过显影等步骤，将图案转移到基片上。光刻的精度对滤波器的性能至关重要，高精度光刻能够实现更小的器件尺寸和更高的频率分辨率。
3. 金属化：在光刻形成的图案上进行金属化处理，通常采用蒸发、溅射等方法在基片表面沉积金属薄膜，如铝、金等。这些金属薄膜构成了 IDT 和其他电路元件，实现电信号与声波信号的转换和传输。
4. 刻蚀：通过刻蚀工艺去除不需要的金属和压电材料，精确地形成 IDT 和其他结构。刻蚀过程需要精确控制，以保证器件的尺寸精度和性能稳定性。
5. 封装：对制作好的 SAW 滤波器进行封装，保护内部结构免受外界环境的影响。封装方式有多种，如陶瓷封装、塑料封装等，封装过程中需要确保良好的密封性和电气连接性能。

IPD 滤波器工艺

1. 硅基片处理：选取硅基片作为基础材料，对其进行清洗、氧化等预处理，在硅基片表面形成一层高质量的氧化层，作为绝缘层和电容的介质层。
2. 光刻与金属沉积：采用光刻技术在硅基片上定义电感、电容等无源器件的图案。然后通过金属沉积工艺，如物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD），在基片上沉积金属层，形成电感的线圈和电容的电极等结构。
3. 介质层沉积与刻蚀：根据设计要求，沉积多层介质材料，如氮化硅、二氧化硅等，用于形成电容的介质层和电感的绝缘层。通过刻蚀工艺对介质层进行精确加工，形成所需的电容和电感结构。
4. 通孔制作：为了实现不同金属层之间的电气连接，需要制作通孔。通过光刻和刻蚀等工艺在介质层和金属层上形成通孔，然后填充金属，实现上下层之间的导通。
5. 封装测试：完成电路制作后，对 IPD 滤波器进行封装，采用塑料封装、陶瓷封装或晶圆级封装等方式，保护芯片免受外界环境影响。最后进行全面的测试，检测滤波器的各项性能指标，确保产品质量符合要求。