卓胜微采用了多种先进工艺技术来降低功耗，包括：

半导体工艺优化：

• 先进节点工艺的应用：积极采用更先进的半导体制造工艺，例如在合适的模块中运用先进的 CMOS 工艺。先进工艺节点下晶体管尺寸更小、集成度更高，能够降低芯片的工作电压和电流，从而减少静态功耗和动态功耗，这是降低功耗的基础。
• 与晶圆厂紧密合作：不断探索工艺的改进和优化，确保所选用的工艺在性能和功耗上达到最佳平衡，通过与晶圆厂的深度合作，获取更优质的工艺支持，以满足低功耗设计需求。

电路结构设计优化：

• 简化拓扑结构：对电路的拓扑结构进行精心设计和简化，减少不必要的电路元件和模块，降低信号在电路中的传输损耗和反射。例如，在射频前端芯片的设计中，优化信号传输路径，提高信号传输效率，进而降低功耗。
• 采用低功耗电路模块：针对不同的功能需求，选择低功耗的电路模块。例如，在电源管理模块中，采用高效的 DC-DC 转换器和低压差线性稳压器，提高电源转换效率，减少电源模块自身的功耗；在时钟电路中，采用低功耗的时钟发生器和分频器，降低时钟信号产生的功耗。

晶体管级优化：

• 晶体管尺寸调整：根据电路的性能要求和功耗目标，对晶体管的尺寸进行精确优化。调整晶体管的沟道长度、宽度等参数，使晶体管在满足性能需求的前提下，工作在最佳的功耗状态，以实现功耗的降低。
• 阈值电压优化：合理调整晶体管的阈值电压，在不同的工作模式下，例如低功耗模式，适当降低晶体管的阈值电压，减少晶体管的导通电阻，从而降低功耗，但同时也会注意阈值电压降低可能带来的漏电流增加等负面影响，做好权衡。