华邦电子的存储产品性能提升策略主要包括以下几个方面：

技术研发层面：

• 先进制程升级：不断推进存储芯片的制程工艺改进，从较旧的制程向更先进的制程演进。例如，在车规级 DRAM 产品上，从 46 纳米演进到 25 纳米，2024 年下半年又进一步演进到 20 纳米；车规级闪存产品的制程也从 58 纳米演进到 45 纳米，NAND Flash 则从 32 纳米演进到 24 纳米。先进制程可以在同等芯片面积上集成更多的晶体管，提高存储密度、降低功耗，同时提升芯片的性能和稳定性。
• 设计优化：对存储芯片的电路设计进行持续优化，以提高数据传输速度、读写性能和存储容量的利用率。例如，通过优化存储单元的结构和布局，减少信号干扰和延迟，提高数据的存取效率。针对不同的应用场景和客户需求，设计定制化的存储芯片解决方案，满足多样化的性能要求。
• 新材料应用探索：积极研究和探索新型的存储材料，如新型的闪存材料或新型的存储介质。新材料可能具有更好的性能特性，如更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗等，能够为存储产品的性能提升提供新的途径。

产品功能层面：

• 增加存储容量：顺应市场对大容量存储的需求趋势，不断推出更高存储容量的产品。例如，在 NOR Flash 和 NAND Flash 产品线中，开发具有更大存储容量的芯片，以满足汽车电子、智能手机、物联网等领域对数据存储量不断增长的需求。
• 提升带宽和速度：通过改进芯片的内部架构和数据传输接口，提高存储产品的带宽和数据传输速度。例如，推出高带宽的 DRAM 产品，如支持更高频率的 DDR 系列内存，以及具有更高并行度的闪存产品，以满足对数据快速读写的应用需求。
• 增强可靠性和稳定性：在存储产品中加入更多的错误检测和纠正技术，提高数据的可靠性和存储的稳定性。例如，采用更强的 ECC（Error Correction Code）纠错码技术，能够检测和纠正更多的数据错误，降低数据丢失的风险。针对汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景，进行严格的可靠性测试和验证，确保产品在恶劣环境下的稳定运行。
• 低功耗设计：优化存储芯片的电源管理模块，降低芯片的功耗。采用先进的电源管理技术，如动态电压调节、智能休眠模式等，根据芯片的工作状态自动调整电源供应，在不影响性能的前提下降低功耗。这对于电池供电的移动设备和物联网设备尤为重要，可以延长设备的续航时间。

产业合作层面：

• 与上下游企业合作：与晶圆代工厂、封装测试厂等上下游企业建立紧密的合作关系，共同研发和优化生产工艺，提高存储产品的制造质量和效率。通过与上游晶圆代工厂的合作，确保先进制程的产能供应和技术支持；与下游封装测试厂的合作，开发更先进的封装技术，提高存储芯片的封装密度和性能。
• 与终端客户合作：深入了解终端客户的需求，与汽车厂商、智能手机厂商等终端客户开展紧密的合作，根据客户的需求进行产品定制和优化。与客户共同进行系统级的优化和验证，确保存储产品在客户的系统中能够发挥最佳性能。