瑞芯微 RK1808 的低功耗表现主要体现在以下几个方面：

1. 先进的工艺制程：RK1808 采用 22nm FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺。与主流的 28nm 工艺相比，在相同性能下，22nm FD-SOI 工艺可以降低 30% 左右的功耗。这种先进的工艺制程能够减少芯片内部的漏电现象，降低静态功耗，使得芯片在运行时能够更加节能高效。
2. 系统级 SRAM 设计：芯片内置 2MB 系统级 SRAM（静态随机存取存储器）。SRAM 的特点是读写速度快，并且可以在不需要外部动态存储器（如 DDR）的情况下，实现一些简单的运算和数据存储。在一些对功耗要求较高、且不需要大量复杂运算的场景下，RK1808 可以利用内置的 SRAM 进行数据处理，避免频繁访问外部存储器，从而降低功耗。这种 “always-on”（始终开启）设备无 DDR 运行的特性，使得芯片在待机或轻负载运行时能够保持较低的功耗水平。
3. 硬件 VAD 功能：具备硬件 VAD（Voice Activity Detection，语音活动检测）功能。该功能可以在语音交互场景中，实时检测语音信号的有无，当没有语音信号输入时，芯片可以自动进入低功耗模式，减少不必要的运算和能量消耗。只有在检测到语音信号时，才会快速唤醒芯片进行语音处理，大大降低了芯片在语音应用场景下的平均功耗。
4. 高效的电源管理策略：RK1808 内部集成了高效的电源管理模块，能够根据芯片的工作负载和任务需求，动态地调整芯片的供电电压和频率。在芯片负载较低时，降低供电电压和频率，减少能量消耗；在需要高性能运算时，及时提高供电电压和频率，保证芯片的性能。这种动态的电源管理策略，使得芯片在不同的工作场景下都能够保持较好的功耗表现。

综上所述，瑞芯微 RK1808 通过先进的工艺制程、优化的存储设计、硬件 VAD 功能以及高效的电源管理策略等多方面的技术手段，实现了出色的低功耗表现，非常适合对功耗要求较高的物联网设备、智能穿戴设备、智能玩具等应用场景。