卓胜微在 5G 通信基站射频器件方面有一定的进展，以下是其相关出货情况：

早期布局与研发投入：

• 卓胜微于 2020 年开始布局 5G 通信基站射频芯片，计划投入 16.4 亿元，分两期用 5 年时间研发 5G 通信基站射频器件并实现产业化。这显示了公司对该领域的重视和积极投入。

小批量出货阶段：

• 2022 年，卓胜微在投资者关系问答中表示，公司采用 GaAs 工艺的射频低噪声放大器产品及 RF SOI 工艺的射频开关产品已在通信基站领域实现客户端小批量出货。这是其在 5G 通信基站射频器件业务上的一个重要突破，意味着产品得到了部分客户的初步认可。

后续发展与持续推进：

• 随着 5G 网络建设的不断推进，对基站射频器件的需求也在增加。卓胜微持续加大研发投入，不断提升产品性能和质量，以满足市场需求。例如，2024 上半年其研发投入为 4.93 亿元，同比增幅达到 94.22%，这为其 5G 通信基站射频器件业务的发展提供了有力支持。

总体而言，卓胜微在 5G 通信基站射频器件领域已经取得了一定的成绩，从早期的研发投入到小批量出货，再到后续的持续发展，公司在该领域的业务正在逐步推进。但具体的出货规模等详细信息可能会因市场需求、客户订单等因素而有所波动。