华邦电子在存储技术领域始终坚持创新。以 1GB QspiNAND 闪存为例，其在性能、功耗和封装等方面的创新设计，为可穿戴设备和物联网设备提供了更优的存储解决方案。华邦电子不仅注重产品的技术性能，还充分考虑市场需求和客户反馈。在研发过程中，不断优化产品的关键指标，如带宽、功耗和封装尺寸等，以确保产品能够满足客户的实际需求。同时，华邦电子积极与业界领先的厂商合作，共同推动存储技术的发展。例如，与恩智浦等顶尖 MCU、MPU 厂商的深度合作，确保了产品规格的高度匹配与软硬件调试的成熟稳定。此外，华邦电子还推出了创新产品 CUBE，采用行业内创新的 3D 封装技术，实现了低功耗、超高带宽传输的优势，为边缘 AI 运算装置提供了强有力的支持。

华邦电子在存储技术方面有诸多创新，包括以下方面：

Cube 技术：

• 创新封装：Cube 是一种采用行业内创新的 3D 封装技术的存储产品，将不同的存储芯片（如 DRAM 裸片等）进行堆叠封装，与客户的主芯片封装在一起。这种封装方式大幅缩减了封装尺寸，实现了更高的集成度，为设备节省了空间，能够满足边缘计算、人工智能等领域对小型化、高性能存储的需求。
• 高带宽性能：通过独特的设计和先进的封装工艺，Cube 实现了高带宽传输。其带宽可达 256GB/s 至 1TB/s，远超行业标准，能够为对带宽要求较高的应用场景（如 AI 运算、高速数据处理等）提供快速的数据传输能力，大大提高了系统的运行效率。
• 低功耗优势：在功耗方面表现出色，功耗低于 1pJ/bit。这对于依靠电池供电或对功耗敏感的设备（如可穿戴设备、移动终端等）来说非常重要，可以延长设备的续航时间，确保设备的长时间运行和能源的优化利用。

闪存技术创新：

• OctalNAND 技术：华邦的 OctalNAND 技术是一种创新的闪存解决方案。它是全球首款采用 x8 串口的 NAND flash，在读写性能上有显著提升。例如，其读写效能可达到每秒 240MB，相比之前的产品以及市面上的一般串口 NAND 产品，速度有较大优势，读取速度甚至快了将近 10 倍。并且，该技术的写入 / 抹除次数达到了 10 万次以上，能够确保 10 年以上的数据保存期，为用户提供了高可靠性和高性能的存储选择，适用于车用电子、工业等对存储要求较高的领域。
• QSPI NAND 技术：华邦的 QSPI NAND 结合了 NOR Flash 的随机读取和 NAND Flash 的大容量特点，具有较高的存储容量和较快的读取速度。这种闪存技术在一些需要快速启动和大容量存储的应用场景中具有优势，例如物联网设备、智能家居等。

DRAM 技术升级：

• 制程演进：华邦电子不断推进 DRAM 的制程升级，从较旧的制程逐渐演进到更先进的制程，如从 58 纳米提升至 45 纳米等。制程的升级带来了芯片性能的提升、功耗的降低以及成本的优化，使华邦的 DRAM 产品在中低容量利基型内存市场中更具竞争力。
• 低功耗 DRAM 产品：针对不同的应用场景需求，华邦研发了低功耗的 DRAM 产品，如 HyperRAM™。这类产品在保持较高性能的同时，大幅降低了功耗，非常适合对功耗要求严格的可穿戴设备、便携式电子设备等。

安全存储技术：

• TrustME® 系列安全闪存：华邦电子的安全闪存产品以其高安全性、高可靠性和高兼容性等特点受到关注。例如 TrustME® 系列 W77Q 产品，在认证方面获得了包括 CCEAL2+、SESIP Level2、FIPS CAVP 和 CMVP 以及 ISO26262 ASIL-C ready 等在内的多个权威认证，为汽车、工业等应用场景的信息安全提供了坚实保障。该系列产品支持安全启动，提供硬件信任根以及优秀的恢复能力、加密数据存储能力和传输的能力，能够有效防止数据泄露和系统攻击，保护用户的信息安全。