华邦电子的闪存产品制程也在持续进步。闪存制程将从 58nm 演进到 45nm，NAND Flash 从 32nm 演进到 24nm。这样的制程演进带来了产能提升及成本降低。以 NOR Flash 为例，华邦电子已连续三年蝉联 NOR 闪存全球第一，新一代 45nm NOR 闪存也已于 7 月开始出货。考虑到 AI 服务器的 NOR 用量较传统服务器大幅提升、TWS 耳机与智能手机 NOR 需求旺盛，相关业务基本面向好。制程的进步使得闪存产品在性能和成本方面都更具竞争力，能够更好地满足市场对于存储容量和速度的需求。

华邦电子闪存产品制程经历了不断的演进，具体过程如下：

早期阶段：

• 在发展初期，华邦电子的闪存产品制程相对较为落后，处于行业内的中低端水平。但凭借着不断的技术积累和研发投入，逐渐在闪存领域崭露头角。

从 58 纳米到 45 纳米：

• 过去，华邦电子闪存产品的制程为 58 纳米，随着技术的不断进步，逐渐提升至 45 纳米。这一制程的提升使得闪存芯片的集成度更高、性能更优、功耗更低，能够满足更多应用场景的需求，为华邦电子在中低容量利基型闪存市场中赢得了一定的竞争优势。

向 24 纳米演进：

• 华邦电子持续投入研发，将闪存制程进一步向 24 纳米推进。这一演进带来了产能的提升以及成本的降低。例如，在容量方面，拥有了 1GB、2GB、4GB、8GB 等通用容量的产品，并且推出的 512MB 小容量产品填补了从 nor flash 到 nand flash 的空白，具有不错的性价比。

未来展望：

• 华邦电子在闪存产品制程方面仍在不断探索和研发，未来有望推出更先进的制程技术，以进一步提升产品的性能和竞争力。同时，也会根据市场需求不断优化产品的容量和功能，满足不同客户的需求。