新洁能第三代半导体功率器件的产业化处于不断推进的过程中，具体情况如下：

产品开发与生产方面：

SiC 领域：已开发完成 1200V 23mΩ - 75mΩ 和 750V 26mΩ SiC MOSFET 系列产品，以及 650V 和 1200V 的 SiC 二极管产品，产品性能参数达到国外同类产品水平，相关产品处于小规模销售阶段。公司在 SiC MOSFET 栅氧化层可靠性技术、动态阈值 / 动态电阻技术、抗冲击能力提升技术等方面取得突破。

GaN 领域：650V/190mΩ E-mode GaN HEMT 产品已开发完成，100V/200V GaN 产品正在开发中。

募投项目建设方面：

新洁能曾开启非公开发行股票募资，用于 “第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化” 项目。但受宏观环境等不可控因素的影响，工程建设、设备采购和人员安排等进度受阻。截至 2024 年 6 月 30 日，已使用资金较少，公司于 2024 年 8 月决定将该项目达到预定可使用状态的日期延期至 2025 年 8 月。

产业链合作方面：

新洁能参股了聚焦第三代半导体碳化硅（SiC）液相法晶体领域的常州臻晶半导体有限公司，加强在碳化硅等化合物半导体领域的话语权。该衬底企业产品尚在研发阶段，计划于 2024 年 9 月实现产业化，这将为新洁能后续的产业化发展提供一定的原材料支持。

总体而言，新洁能在第三代半导体功率器件领域已经取得了一定的产品研发成果，但产业化进程受到一些因素的影响有所延迟，未来仍有较大的发展空间。