富满微在 GaN 芯片的研发方面不断取得新的突破。公司投入了大量的研发资源，组建了专业的研发团队，积极探索新的技术和工艺。目前，公司已成功推出多款 GaN 芯片产品，并在性能和稳定性方面不断优化和改进。例如，公司正在研发的能够驱动 GaN 功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的 LLC 变换器主控芯片，显示了公司在技术创新方面的不懈努力。

据公开信息，富满微在 GaN 芯片的研发进展如下：

• 已有产品成功推向市场：截至 2021 年 12 月 7 日，富满微在第三代半导体从 GaN 驱动切入，已有直接驱动 GaN 功率管的电源主控芯片产品验证成功并推向市场 。
• 持续研发新产品：2021 年 12 月 7 日，富满微表示可以驱动 GaN 功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的 LLC 变换器主控芯片正在研发中 。

富满微 GaN 芯片的市场应用情况

富满微的 GaN 芯片在多个领域展现出广泛的应用前景。在快充装置领域，其 GaN 芯片的高效能特性使得充电速度大幅提升，满足了用户对于快速充电的需求。在输变电系统中，GaN 芯片有助于提高电能传输的效率和稳定性。在轨道交通方面，GaN 芯片能够为列车的电力系统提供更可靠和高效的支持。此外，在电动汽车和充电桩领域，GaN 芯片的应用不仅提升了充电效率，还减小了设备的体积和重量，为电动汽车的普及和推广提供了有力的技术支持。在移动通信领域，国内新装的 4G 和 5G 移动通信的基站几乎全用氮化镓器件，尤其是 5G 基站采用 MIMO 收发体制，每个基站 64 路收发，耗电量是 4G 基站的 3 倍以上，而且基站的密集度还要高于 4G 基站，高效率的氮化镓器件在此发挥了重要作用。

富满微 GaN 芯片的研发投入

富满微在 GaN 芯片的研发方面投入了大量的资源。近年来，公司不断加大在该领域的研发资金投入，以提升技术水平和产品性能。尽管具体的投入金额会受到多种因素的影响，但从公司的整体战略来看，对 GaN 芯片研发的重视程度持续增加。例如，2020-2022 年，富满微的研发投入金额分别为 0.62 亿元、1.67 亿元、1.53 亿元，同期占营业收入的比例分别为 7.41%、12.16%、19.79%。这些投入反映了公司致力于在 GaN 芯片领域取得突破和创新的决心。