RK3188芯片的28nm工艺在防漏电方面具有独特的优势。尽管和高通APQ8064同为28nm工艺，但瑞芯微表示RK3188使用了HKMG（高K金属栅栏）技术，这一技术有效地减少了栅极漏电量，降低了栅极电容，从而提升了芯片的稳定性和可靠性。

在实际应用中，这一防漏电技术能够确保芯片在高频率运行时保持稳定的性能，避免因漏电导致的性能下降和功耗增加。例如，在长时间的高负荷运算中，RK3188能够持续稳定地输出性能，不会出现因漏电而导致的突然卡顿或死机等问题。

瑞芯微 RK3188 芯片采用 28nm HKMG（高 K 金属栅栏）技术，在防漏电方面更加出色。相比传统工艺，HKMG 技术可以有效降低晶体管的栅极漏电，从而减少芯片的功耗损失。

28nm 工艺本身相较于更早期的工艺制程，就已经在漏电控制方面有了显著提升。而 RK3188 所采用的 HKMG 技术进一步增强了其防漏电性能。这使得芯片在运行时能够更加稳定和节能，延长了设备的电池续航时间。

虽然和高通 APQ8064 同为 28nm，但瑞芯微表示 RK3188 使用了 HKMG 技术，在防漏电方面更加出色。此外，RK3188 芯片在同等频率下可节省 60%的运行功耗，在同等漏电率下还带来 55%的性能提升。相比 40nm 工艺功耗节省 20%，在游戏、视频、网页浏览和数据传输等场景下功耗可降低 40%，并凭借超低漏电晶体管可有效延长电池续航。