长江存储是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。其闪存芯片具有多种特点和优势。

以长江存储的X3-6070 3D QLC闪存芯片为例，它具有高达2400MT/s的IO速度，相比上代产品提升50%。读取性能和写入性能比上代产品有着近100%的提升，可满足企业级、消费级、嵌入式全场景应用需求。该闪存芯片的耐久度高达4000次PE循环，是上代产品的4倍。这里的4000次PE是指企业级类型，虽然没有消费级的具体数据，但应该也能达到2000次PE左右。

长江存储的闪存技术在不断发展。其初代产品是带有一定试验性质的3D MLC闪存（代号X0-A030）。第二代产品X1-9050采用了Xtacking晶栈技术，IO速度800MT/s，可满足PCIe 3.0时代对带宽的需求。第三代产品X2-9060通过串叠进一步提升存储密度，Xtacking晶栈2.0将IO速度提升至1600MT/s，能满足8通道PCIe 4.0旗舰满速读取的带宽需求，这一代产品中还首次出现了QLC类型的X2-6070。而上述的X3-6070则是使用Xtacking晶栈3.0架构的第四代产品。

此外，长江存储还推出了其他闪存产品。例如UFS 3.1通用闪存UC023，采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking® 2.0）技术的TLC 3D闪存颗粒，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域。其特点包括：解码多项新技术，全面释放UFS 3.1优势，搭载主机碎片化整理技术，优化数据处理操作并节省存储空间，引入随机写性能优化机制，写入速度提升至230K IOPS；具备出色的性能功耗比，在发挥极致读写性能的同时保证超低功耗运行；为客户提供128、256和512GB三款主流容量选择，并提供定制化产品开发服务与技术支持。

长江存储的闪存芯片在速度、性能、耐用性等方面都有出色表现，为全球合作伙伴提供了多种选择，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。同时，其不断进行技术创新和突破，在国际闪存市场中逐渐占据重要地位。但需要注意的是，该公司曾被美国列入“贸易黑名单”，不过尽管面临外部压力，长江存储依然坚持自主研发和技术创新。2023年11月9日，长江存储起诉美光科技有限公司及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。

具体的产品参数可能因不同型号和应用场景而有所差异，如果你想了解更多关于长江存储特定闪存芯片的详细信息，可以访问其官方网站或相关产品资料。