长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉东湖新技术开发区。公司自成立以来，一直致力于3D NAND闪存的设计、制造和销售。在国家政策的大力支持下，长江存储成功实现了3D NAND闪存领域的技术突围。其技术创新对国际闪存芯片市场竞争格局产生了一定影响，具体如下：

实现国产闪存突破：长江存储通过自主研发和技术创新，成功推出了具有自主知识产权的64层3D NAND闪存芯片，并于2019年实现量产。这一突破使得长江存储一跃成为全球NAND闪存市场的主要竞争者，打破了国外厂商在闪存芯片领域的垄断地位。

推动闪存技术发展：长江存储发布了Xtacking（晶栈）技术，该技术在闪存技术架构上实现了突破性创新。该架构的64层3D NAND闪存具有高存储密度，与当时其他厂商的96层产品相差无几。这标志着长江存储在该领域具备了较强的竞争力。基于Xtacking技术，长江存储不断加速赶超，成功跳过96层堆叠，直接进入128层。该技术简单来说是可以实现并行、模块化产品设计及制造，缩短开发时间和生产周期的同时，还能实现比传统3D NAND技术更高的存储密度与性能。

加剧市场竞争：随着长江存储的技术创新和市场份额的增加，国际闪存芯片市场的竞争格局将更加激烈。这可能会促使其他国际大厂加大研发投入，推动技术进步，以保持市场竞争力。

促进产业升级：长江存储的技术创新也将推动整个闪存芯片产业的升级。这将有助于提高中国在全球半导体产业中的地位，并促进相关产业的发展。

总之，长江存储的技术创新能力使其在国际闪存芯片市场竞争格局中占据了一席之地，也为全球存储芯片行业的发展注入了新的活力。