长江存储在技术研发方面投入了大量资金，其研发成果较为显著，在国内处于领先水平。

例如，长江存储成功研发了32层、64层、128层以及232层等3D NAND闪存芯片，并推出了自研自产的晶栈架构Xtacking，能够提高芯片的读写速度和稳定性。2022年全球首发232层3D NAND Flash技术，实现了对国际巨头的赶超。

中国近几年不断加大对半导体产业的投资，在政策的推动下，一批优秀的国产半导体企业应运而生。虽然不同企业在技术研发投入的具体金额难以直接比较，但长江存储是中国存储芯片领域的重要代表之一，其技术突破和发展对推动中国存储芯片产业的进步起到了重要作用。

然而，技术研发水平的评估不仅仅取决于投入资金的多少，还涉及多个方面，如技术团队的实力、研发成果的转化效率、产品的市场竞争力等。随着科技的迅速发展和市场的变化，长江存储也需要不断努力和创新，以保持其在技术研发方面的领先地位，并进一步缩小与国际先进水平的差距。

另外，半导体行业竞争激烈，其他国内企业也在存储芯片等领域积极投入研发，整个行业的技术水平都在不断提升。因此，对于长江存储技术研发投入在国内的具体排名或确切水平，可能会随着时间和其他企业的发展而有所变化。但总体而言，长江存储在国内存储芯片技术研发领域具有重要的地位和影响力。