1、赛普拉斯的非易失性SRAM 将公司专有的Quantum Trap™ 非易失性组件与高性能SRAM 存储器单元相集成。

2、访问存储器阵列的方式与传统SRAM 相同,支持标准系统设计,并增加了在断电情况下保留数据的功能。

3、赛普拉斯的 nvSRAM 采用符合行业标准和有害物质限制 (RoHS) 标准的封装方式,如 SSOP、TSOP、FBGA 和 SOIC 封装。

4、调用还可以通过命令启动。将非易失性组件的所有数据并行传输到 SRAM 最多需要 20 毫秒即可完成。

5、如果数据已写入 SRAM,存储操作会将数据从 SRAM 阵列传输到非易失性组件。

6、存储可在断电时自动启动或由硬件或软件命令启动,具体取决于设备。需要 15 毫秒来保存所有 SRAM 数据(断电自动存储周期中为零系统时间)。

7、通过上电时“调用”,非易失性组件会设置 SRAM 的状态,然后即可读取或写入 nvSRA M 而不用改变非易失性组件。

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