与Flash操作相关的寄存器:高页面寄存器空间中有9个Flash寄存器,其中的NVOPT和NVPROT两个寄存器的地址在Flash存储器的非易失寄存器空间,但在复位时被复制到相应的高页面寄存器空间(FOPT、FPROT)。所有的Flash寄存器地址分配见附录A。

(1)Flash时钟分频寄存器(FCDIV),见图4一l4。在任何擦除或者编程操作之前,写这个寄存器,设置Flash编程时所用的时钟频率,使其在允许范围之内。其功能描述见表4—1 5。表4—16所示为时钟分频数设置。

(2)Flash选项寄存器(FOPT和NVOPT)中的FOPT寄存器如图4—15所示。复位过程中,非易失位置NVOPT的内容从Flash区复制到FOPT。FOPT寄存器功能描述见表4一l7。

(3)Flash配置寄存器(FcNFG),见图4—1 6。Flash配置寄存器的功能描述如表4—18所示。

(4)Flash保护寄存器(FPROT和NVPROT)中的FPROT寄存器如图4—1 7所示。复位过程中,非易失位置NVPROT的内容复制到RAM区的FPROT。FPROT寄存器功能描述见表4一l9。

(5)Flash状态寄存器(FSTAT),见图4—1 8。Flash状态寄存器功能描述如表4—20所示。

(6)Flash命令寄存器(FCMD),见图4一l9。普通用户模式中,MCU仅仅能识别表4-21中的命令。其他命令代码会产生一个访问错误,使FSTAT寄存器中的FACCERR置1。Flash命令表见表4—2 1。

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