【电子资讯】什么是透明衬底技术?
透明衬底技术可以提高LED发光效率的技术。透明衬底技术最初起源于美国的hp、lumileds等公司,而对金属膜反射法进行的大量研究与发展主要是由日本、中国台湾地区的厂商进行的。
这种技术不但回避了透明衬底专利,而且更利于规模生产。其效果可以说与透明衬底法具有异曲同工之妙。该技术通常称为mb制程。
其过程为:首先去除gaas衬底,然后在其表面与si基底表面同时蒸镀金属膜,最后在一定的温度与压力下将其熔焊在一起。从发光层照射到基板的光线被金属膜层反射至芯片表面,从而可使器件的发光效率提高2.5倍以上。一个更为有效的方法是先去除GaAs衬底,代之于全透明的GaP晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的InGaAlP器件制作成截角倒锥体的外形,使量子效率有了更大的提高。
与InGaAlP相比,GaAs材料具有小得多的禁带宽度,因此,当短波长的光从发光区与窗口表面射入GaAs衬底时,将被悉数吸收,成为器件出光效率不高的主要原因。在衬底与限制层之间生长一个布喇格反射区,能将垂直射向衬底的光反射回发光区或窗口,部分改善了器件的出光特性。
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