恩智浦LDMOS晶体管是恩智浦最高速RF输出功率器件。恩智浦LDMOS晶体管是恩智浦半导体公司在2008年推出的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体晶体管,LDMOS晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。作为首个推出L波段和S波段应用的LDMOS的公司,恩智浦高效LDMOS RF功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准,为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。RF输出功率达到500W这个突破,是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果,使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。

恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括:

●500W峰值输出功率(在1.4GHz,100µs脉冲宽度,25%占空比时)

●17dB增益

●50%漏极效率

●更佳耐用度

●能够承受高达5dB的过驱动能力

●更佳脉冲顶降 (低于0.2dB)

●供电电压50V

●无毒封装、符合ROHS标准

恩智浦技术工程师研发出来的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势,其环保的陶瓷封装,可与BeO封装互相替代。

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