场效应晶体管的常用特性参数及其含义是什么?由于各公司产品特性参数符号不尽相同,这里只是将各公司符号归纳在一起供参考。
场效应晶体管电流参数及含义
1).AP:场效应晶体管的雪崩电流,也可用,IAR表示。
2)IBS(OS):栅源极电流或基源极电流。
3)Ics(ss):场效应晶体管的漏极一源极电流。
4)Ic:场效应晶体管最大漏极电流,一般用来表示场效应晶体管的或漏极在25℃时的最大电流。
5)ID(ON):通态漏极电流。
6)ID(PuLsE):漏极峰值电流。
7)IDA:雪崩电流(脉冲)。
8)IDM:漏极电流(脉冲)。
9)IDP:漏极测试电流。
10)IR:反向漏极电流。
11)IDsfsAT):漏源饱和电流或沟道饱和电流。
12)InDsM:最大漏源电流,是一项极限参数,是指场效应晶体管正常工作时,漏极一源极间所允许通过的最大电流场效应晶体管的工作电流不应超过,IDSM。
13)IDss:饱和漏极一源极电流,是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管栅极电压UGs=0时的漏极一源极电流。
14)IDs:漏极一源极电流。
15)ID:漏极电流(直流),也可用,D(Dc)表示。
16)IFRM:正向峰值电流。
17)IFsM:浪涌电流。
18)IF:正向电流(直流)。
19)IkM:单一脉冲电流。
20)IK:在25℃的持续电流。
21)IL:负载电流(持续)。
22)IsM:源极电流(脉冲)。
23)Is:源极电流。
24)Ic:栅极电流。
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