赛普拉斯串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM):该存储器具有I2C和SPI接口,可用于仪表、工业和汽车应用。最高工作频率可分别达到104MHz(SPI器件)和3.4MHz(I2C器件)。新的串行nvSRAM系列产品包括具有多种配置的1-Mbit,512-Kbit,256-Kbit和64-Kbit器件。nvSRAM对于要求数据的绝对非易失性的应用(如智能电表、PLC、马达驱动、汽车电子数据记录仪、RAID系统、医疗和数据通讯系统)而言,是理想的选择。

赛普拉斯的串行nvSRAM具有I2C (1-Mbit: CY14B101J) 和 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)两种接口,封装方式为小尺寸8-SOIC 和 16-SOIC。nvSRAM采用其S8™ 0.13-微米 SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存储器技术制造,拥有卓越的可靠性和改善的性能。这些器件采用业界标准的8-SOIC 和16-SOIC小尺寸封装方式。这些器件具有卓越的性能, SPI运行频率可达到业界领先的104MHz,具有SPI模式0和3、无限次读写和取回周期,数据保存时间长达20年。

赛普拉斯的S8™ 0.13-微米 SONOS工艺在其自身的芯片厂和多个合作芯片厂中都有使用。SONOS与标准的CMOS技术兼容,并且具有高耐用性、低功耗和抗辐射的优势。赛普拉斯是SONOS工艺技术的领先厂商,在其下一代PSoC®混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中都采用了S8技术。与其他基于磁和铁电的非易失性存储技术相比,SONOS技术在规模扩展和可制造性方面具有突出的优势。这些器件还具有512-Kbit, 256-Kbit 和64-Kbit容量规格,以及可选配的实时时钟。

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