现货IRGIB6B60KDPBFIGBT 晶体管
深圳市科辉特电子有限公司
发表:2023-11-21 15:26:05 阅读:104
技术: 
Si 
 
封装 / 箱体: 
TO-220-3 
 
安装风格: 
Through Hole 
 
配置: 
Single 
 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 
600 V 
 
集电极—射极饱和电压: 
1.8 V 
 
栅极/发射极最大电压: 
20 V 
 
在25 C的连续集电极电流: 
11 A 
 
Pd-功率耗散: 
38 W 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 175 C 
 
系列: 
RC 
 
封装: 
Tube 
 
高度: 
16 mm 


长度: 
10.6 mm 


宽度: 
4.8 mm 


商标: 
Infineon / IR 


栅极—射极漏泄电流: 
100 nA 


产品类型: 
IGBT Transistors 


工厂包装数量: 
2000 


子类别: 
IGBTs 


商标名: 
TRENCHSTOP 


零件号别名: 
IRGIB6B60KDPBF SP001533840 


单位重量: 
2.300 g 
核心供货商
营业执照: 已审核
组织机构代码: 已审核
会员等级: 一级会员
联系人: 李经理
电话: 15013811474(微信同号)
QQ: 2881624220
地址: 深圳市罗湖区红岭北中国人保金融大厦2808
简介: 深圳科辉特电子科技有限公司,本公司成立于2010年,本公司主营:为全球OEM和EMS终端客户,电子元器件配套综合服务商,主要拓展工业,汽车,医疗等终端客户,受到国内外各大厂家的好评!始终将质量第一,信誉第一,客户第一作为公司发展的宗旨,向广大客户提供价格合理的优质产品和快捷便利的电子配套服务。