技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-220-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.8 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
11 A
Pd-功率耗散:
38 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
RC
封装:
Tube
高度:
16 mm
长度:
10.6 mm
宽度:
4.8 mm
商标:
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
2000
子类别:
IGBTs
商标名:
TRENCHSTOP
零件号别名:
IRGIB6B60KDPBF SP001533840
单位重量:
2.300 g
Si
封装 / 箱体:
TO-220-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.8 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
11 A
Pd-功率耗散:
38 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
RC
封装:
Tube
高度:
16 mm
长度:
10.6 mm
宽度:
4.8 mm
商标:
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
2000
子类别:
IGBTs
商标名:
TRENCHSTOP
零件号别名:
IRGIB6B60KDPBF SP001533840
单位重量:
2.300 g