技术: 
Si 
 
封装 / 箱体: 
TO-247-3 
 
安装风格: 
Through Hole 
 
配置: 
Single 
 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 
600 V 
 
集电极—射极饱和电压: 
1.9 V 
 
栅极/发射极最大电压: 
20 V 
 
在25 C的连续集电极电流: 
45 A 
 
Pd-功率耗散: 
187 W 
 
最小工作温度: 
- 40 C 
 
最大工作温度: 
+ 175 C 
 
系列: 
TRENCHSTOP IGBT 
 
封装: 
Tube 
 
集电极最大连续电流 Ic: 
39 A 
  
商标: 
Infineon Technologies 
  
栅极—射极漏泄电流: 
100 nA 
  
产品类型: 
IGBT Transistors 
  
工厂包装数量: 
240 
  
子类别: 
IGBTs 
  
商标名: 
TRENCHSTOP 
  
零件号别名: 
IKW30N60T SP000054887 
  
单位重量: 
5 g