技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TDSON-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
100 A
Rds On-漏源导通电阻:
1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.2 V
Qg-栅极电荷:
133 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
139 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
OptiMOS
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.27 mm
长度:
5.9 mm
系列:
OptiMOS 5
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
5.15 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
140 S
下降时间:
9 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
12 ns
工厂包装数量:
5000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
46 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
零件号别名:
BSC010N04LS SP000928282
单位重量:
100 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TDSON-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
100 A
Rds On-漏源导通电阻:
1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.2 V
Qg-栅极电荷:
133 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
139 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
OptiMOS
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.27 mm
长度:
5.9 mm
系列:
OptiMOS 5
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
5.15 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
140 S
下降时间:
9 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
12 ns
工厂包装数量:
5000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
46 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
零件号别名:
BSC010N04LS SP000928282
单位重量:
100 mg