技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
18 A
Rds On-漏源导通电阻:
145 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Qg-栅极电荷:
25 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
72 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
系列:
CoolMOS P7
晶体管类型:
1 N-Channel
商标:
Infineon Technologies
下降时间:
8 ns
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
MOSFET
上升时间:
12 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
85 ns
典型接通延迟时间:
14 ns
零件号别名:
IPD60R180P7S SP001658138
单位重量:
340 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
18 A
Rds On-漏源导通电阻:
145 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Qg-栅极电荷:
25 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
72 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
系列:
CoolMOS P7
晶体管类型:
1 N-Channel
商标:
Infineon Technologies
下降时间:
8 ns
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
MOSFET
上升时间:
12 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
85 ns
典型接通延迟时间:
14 ns
零件号别名:
IPD60R180P7S SP001658138
单位重量:
340 mg