技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
8 A
Rds On-漏源导通电阻:
17.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
24 nC
Pd-功率耗散:
2 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Dual
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
晶体管类型:
2 N-Channel
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon Technologies
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF7351TRPBF SP001577392
单位重量:
165 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
8 A
Rds On-漏源导通电阻:
17.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
24 nC
Pd-功率耗散:
2 W
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Dual
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
晶体管类型:
2 N-Channel
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon Technologies
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
IRF7351TRPBF SP001577392
单位重量:
165 mg