可控硅光耦与普通光耦区别
深圳市科辉特电子有限公司
发表:2023-11-20 21:51:54 阅读:585

  光耦可控硅与固态继电器有何区别?

  1、性能特点:光耦可控硅:电压低,电流低,速度快,封装小。固态继电器:电压高,电流高,速度慢,封装大。

  2、工作原理: 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向反馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。

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