LMG3410R070RWHR 高性能 GaN 功率器件

产品型号：LMG3410R070RWHR

产品品牌：TI/德州仪器

产品封装：VQFN32

产品功能：高性能 GaN 功率器件

LMG3410R070RWHR特征

●高性能 GaN 技术：具有超低输入和输出电容，零反向恢复特性，可将开关损耗降低约 80%，同时低开关节点振铃可降低 EMI。

●可调节驱动强度：通过 RDRV 引脚连接电阻可调节驱动强度，从而控制压摆率，确保开关性能和 EMI 控制，压摆率可在 25 到 100V/ns 之间调节。

●高可靠性：工艺经过调整的栅极偏置电压确保了器件的可靠性，且无需外部保护组件，简化了设计。

LMG3410R070RWHR说明

LMG3410R070RWHR 是一款 600V 的 GaN 功率级器件，集成了驱动器和保护功能，其固有优势超越硅 MOSFET，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率，为传统的共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 提供了智能替代方案。

LMG3410R070RWHR应用场景

●高密度电源：适用于工业级和消费级电源，如服务器电源、电信整流器等，可实现高效率和高功率密度。

●多电平转换器：有助于实现诸如图腾柱 PFC 之类的高效拓扑结构。

●太阳能逆变器：能满足太阳能发电系统中对功率转换效率和可靠性的要求。

●工业电机驱动：可用于驱动工业电机，提高系统的性能和效率。

●不间断电源：在不间断电源系统中，能确保电源的稳定转换和可靠运行。

●高电压电池充电器：适用于高电压电池的充电场景，可提高充电效率和安全性。

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