LM74700QDBVRQ1 理想二极管/ORING 控制
深圳市蓝信伟业电子有限公司
发表:2023-09-05 16:42:54 阅读:36
LM74700QDBVRQ1  3.2V至65V、80uA IQ汽车理想二极管控制器
 
 








产品型号:LM74700QDBVRQ1 
 
产品品牌:TI/德州仪器
 
产品封装:SOT23
 
产品功能:理想二极管/ORING 控制器
 
LM74700QDBVRQ1特性
●具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
 器件 HBM ESD 分类等级 2
 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
●提供功能安全
 可帮助进行功能安全系统设计的文档
●3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
●-65V 反向电压额定值
●适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
●20mV 阳极至阴极正向压降调节
●使能引脚特性
●1μA 关断电流(EN = 低电平)
●80μA 工作静态电流(EN = 高电平)
●2.3A 峰值栅极关断电流
●快速响应反向电流阻断: 小于 0.75μs
●采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
●采用 6 引脚和 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
 
LM74700QDBVRQ1说明
LM74700-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器,与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作,可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压,并提供负载保护。
 
该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机,并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (
 
LM74700-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-Q1 的高电压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设计。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1μA 的电流。
 
 
 
 
 
 
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