富满微的基准电压生成与比较原理是其芯片设计中的核心技术之一，尤其在电源管理、恒流控制等场景中至关重要。以下是其核心机制与实现方式：

一、基准电压生成原理

带隙基准（Bandgap）技术

• 富满微采用改进型带隙基准电路，通过结合双极型晶体管（BJT）的正温度系数与二极管的负温度系数，生成近似零温漂的基准电压（典型值1.25V）。其专利技术（如CN类）优化了传统结构的线性补偿，将温漂系数控制在±50ppm/℃以内，显著提升高温环境下的稳定性。

低噪声设计

• 通过片上滤波和电流镜匹配，抑制电源噪声对基准电压的影响。例如，部分AC-DC芯片（如FM25xx系列）的基准电压纹波低于1mV，适用于高精度ADC或DAC参考源。

二、电压比较机制

动态比较器结构

1. 集成高速比较器，通过差分放大输入信号与基准电压的差值，响应时间可缩短至10ns级（如用于过压保护的比较器模块）。其专利（如CN108572686B）中提到的开关控制技术，可避免传统比较器的回踢噪声问题。

多级阈值可调

1. 部分芯片支持编程调整比较阈值（如通过I²C接口设置），适配不同应用场景。例如，在电池管理芯片中，可动态调整欠压保护阈值（如2.8V~3.6V范围），匹配多种电池类型。

三、应用实例

• 恒流控制：基准电压与采样电阻信号比较，实时调节PWM占空比，实现±1%的电流精度（如LED驱动芯片FM8115）。
• 电源保护：比较器监测输入电压，触发关断逻辑以防止过压损坏（如车载充电器芯片XPD913）。

富满微通过高精度基准生成与快速比较技术的结合，显著提升了芯片的可靠性与适应性。