华邦电子在电压控制技术方面拥有多项关键专利，以下是对其部分关键专利的分析：

• “电压产生电路以及半导体装置”（CN 112053728 B）：该专利提供了一种电压产生电路及半导体装置，重点在于使用动态基准电压，高精度控制产生电压的上升。其电压产生电路包含电荷泵、调节器及控制电路。调节器通过两个比较器，分别将电荷泵产生的电压与基准电压和上升速度被控制的基准电压进行比较，控制电路基于比较结果控制电荷泵。该专利解决了 NAND 型快闪存储器中编程和抹除操作时电压上升波形对性能及信赖性的影响问题，通过精确控制电压上升速度，提高了存储器的性能和可靠性，适用于需要高精度电压控制的半导体存储设备。
• “电压调整器”（CN 114077276 B）：此专利提出的电压调整器包括主驱动级电路、第一预驱动电路、多个辅助驱动电路、第二预驱动电路以及比较及译码电路。主驱动级电路依据第一控制信号提供输出电压的主驱动电流，辅助驱动电路依据第二控制信号决定是否提供辅助驱动电流，比较及译码电路通过产生仿真驱动电流，与负载电流比较后产生启动信号，进而控制整个电压调整器的工作。该专利能够实现电压调整器的自调整驱动能力，可根据负载情况自动调整驱动电流，提高了电压调整器的适应性和效率，适用于各种需要稳定电压输出的电子设备。
• “电压产生电路”（CN 119024914 A）：该专利的电压产生电路包括第一比较器、升压电路、第二比较器以及输出电路。第一比较器比较第一参考电压与第一反馈电压，产生第一控制信号控制升压电路；第二比较器比较第二参考电压与第二反馈电压，产生第二控制信号控制输出电路，从而实现精准的电压生成与转换。该专利可用于需要精确电压生成和转换的场景，如各类电子系统中的电源管理模块，能为不同的电路模块提供稳定、精确的工作电压。
• “半导体存储装置及其控制方法”（CN 118782116 A）：该专利涉及一种半导体存储装置及其控制方法，半导体存储装置包括至少一感应放大器和控制部，控制部基于感应放大器中晶体管的特性调整电压，使连接感应放大器的位线电压在偏移消除操作中接近特定目标电压，减少了因电压波动带来的数据错误，提高了存储的响应速度和读写效率。该专利针对半导体存储装置的电压控制问题，从感应放大器晶体管特性入手，优化了位线电压控制，提升了数据存储的可靠性和能耗效率，适用于各类半导体存储设备。